不久前，4GB内存还是旗舰安卓智能手机的标配。目前旗舰店内存12GB，三星Galaxy S20 Ultra 5G内存16GB。今天，三星宣布已经开始大规模生产移动行业中首款包含16GB内存的LPDDR5 DRAM封装。该封装用于Galaxy S20 Ultra，由8个12Gb芯片和4个8Gb芯片组成，由Sammy自己的代工厂采用第二代10nm工艺制造。

三星表示，新的16GB DRAM封装将“以更大的容量引领高端移动存储市场，从而增加5G和AI功能，包括丰富的图形游戏和智能摄影功能。”LPDDR5 DRAM封装以每秒5500兆位(Mbps)的速率传输数据，比三星LPDDR4X DRAM封装实现的4266Mbps传输速率快1.3倍。16GB LPDDR5封装可节能20%，容量是8GB LPDDR4X系统的两倍。

三星将于下半年发布新版16GB DRAM封装，传输速率提升17%。

三星内存销售与营销高级副总裁Cheol Choi表示：“三星一直致力于将内存技术推向前沿，让消费者通过移动设备享受精彩体验。我们很高兴遵守这个承诺。我们为世界各地的设备制造商提供最新的顶级移动解决方案。凭借今年晚些时候基于我们下一代工艺技术的新产品阵容，三星将能够完全满足全球客户未来的内存需求。”

Galaxy S20 Ultra 5G最贵的版本包括三星新推出的16GB DRAM封装。

三星表示，业内最大的DRAM封装提供的存储容量是许多专注于游戏的高端笔记本电脑和PC的两倍。说到游戏，LPDDR5 16GB DRAM封装可以帮助用户在玩手机游戏时体验更高的响应速度，享受“超高分辨率图形”。

厂商将于今年下半年开始完善该封装的规格，并开始采用第三代10nm工艺制造16GB LPDDR5 DRAM封装的芯片。这将使数据传输速度提高17%，达到6400Mbps。对于那些不知道的人来说，工艺号表示集成电路中可以容纳多少晶体管。工艺数量越少，集成电路中的晶体管就越多。具有更多晶体管的芯片通常以更少的能量提供更快的性能。相比之下，骁龙865移动平台是由TSMC(世界上最大的独立铸造厂)使用其7纳米工艺生产的。A14仿生学将于今年下半年生产，采用5 nm工艺制造。

目前，三星和TSMC已经制定了路线图，将芯片制造工艺缩减至3纳米。为了向大家展示未来可能发生的事情，请考虑一下TSMC生产的7 nm Apple A13仿生SoC，每个SoC包含大约85亿个晶体管。据悉，将采用5nm工艺生产的A14 Bionic将在每个芯片组中封装150亿个晶体管。

为了展示三星和移动行业的发展，该公司提供了一张图表，显示了自2009年以来其DRAM产品的历史。256MB封装采用50nm 1Gb DRAM芯片，数据传输速率为400Mbps。到2014年12月，三星将生产4GB封装，采用LPDDR4 8Gb 20nm芯片，数据传输速率为3200Mbps。

去年9月，三星生产了12GB DRAM封装和采用10纳米技术制造的LPDDR4X 24Gb DRAM芯片。顺便说一下，LPDDR的缩写代表低功耗的双倍数据速率。你可能已经猜到了，LPDDR5比LPDDR4速度更快，能耗更低。