三星电子宣布开始试运业界首款图形双倍数据速率 6 (GDDR6) DRAM 内存芯片，提供 24 Gb/s 的速度。此外，三星还更新了速度较慢的解决方案，为它们提供了更低的功耗。

产品采用 HKMG(High-K Metal Gate)技术制造，该技术于 2018 年 首次用于三星 GDDR6 内存。随着 DRAM 结构的缩小，绝缘层变得更薄，导致更多的电流泄漏。用 HKMG 材料替换绝缘体可减少泄漏并提高性能。

与上一代 18Gb/s 解决方案相比，三星的新 GDDR6 芯片性能提高了约 33%。

三星推出市场上首款 24Gbps GDDR6 内存

该内存将用于下一代图形加速器，包括便携式计算机、人工智能和高性能计算系统、游戏机等。

宣布的芯片生产使用 10 纳米 (1z) 级深紫外 (EUV) 光刻工艺。三星新的 GDDR6 芯片系列还将提供低功耗选项，以帮助延长笔记本电脑的电池寿命。

三星新的 GDDR6 芯片系列还将提供低功耗选项，以帮助延长笔记本电脑的电池寿命。采用动态电压变化(DVS)技术，根据性能要求调整工作电压;三星将发布 20 和 16 Gb/s 芯片，在 1.1V 时将实现约 20% 的更高功率效率;与行业标准 1.35 V 相比​​。

根据 IC Insights 的分析师的说法，对半导体的总体需求，尤其是对存储芯片的需求已经开始放缓。主要市场参与者指出，与 5 月份相比，6 月份对微芯片的需求有所下降。平均而言，上个月芯片的市场需求下降了 5%。